Intel SSD 710 также включает функции повышенной надёжности и безопасности, такие как: защита данных при перебое питания; излишек NAND флеш-памяти для безопасности данных при отказе NAND-кристалла; 128-битное AES-шифрование данных и мониторинг температуры посредством встроенного термосенсора и двум возвращаемым значениям SMART, для предупреждения простоев.
Intel SSD 710 предоставляет ресурс записи, сравнимый с накопителями на SLC NAND, при этом используя менее дорогие MLC NAND микросхемы. Пользователь может дополнительно зарезервировать пространство накопителя, и тем увеличить ресурс записи на 80%. Intel HET сочетает улучшения NAND-кристаллов и уникальные техники администрирования NAND флеш-памяти, увеличивающие ресурс записи SSD, использующих MLC флеш-память.
Улучшения прошивки контроллера включают оптимизированные методы избежания ошибок, алгоритмы снижения коэффициента усложнения записи и стойкость к аппаратными ошибками, превышающая принятые стандарты стойкости (ECC) в индустрии.
Intel SSD 710 Series оценён в $649/100GB, $1,289/200GB и $1,929/300GB, для партии в 1000 единиц, обеспечивая лучшее соотношение доллар-за-гигабайт в сравнении с накопителем предыдущего поколения Intel X25-E SSD.
Технические характеристики:
100GB | 200GB | 300GB | |
Тип микросхем | Intel 25nm MLC NAND HET | ||
Форм-фактор | 2.5 дюйма | ||
Последов. чтение (МБ/с) | 270 | 270 | 270 |
Последов. запись (МБ/с) | 170 | 210 | 210 |
Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS) | 38,500 | 38,500 | 38,500 |
Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS) | 2,300 | 2,700 | 2,000 |
Произвол. чтение 8 KB QD32 (IOPS) | 26,000 | 27,000 | 27,000 |
Произвол. запись 8 KB QD32 (IOPS) | 1,900 | 1,300 | 1,700 |
Ресурс записи (4 KB) | 500 TB | 1.0 PB | 1.1 PB |
* | (900 TB) | (1.5 PB) | (1.5 PB) |
Ресурс записи (8 KB) | 900 TB | 1.0 PB | 1.8 PB |
* | (2.0 PB) | (1.9 PB) | (3.0 PB) |
MTBF | 2 млн. часов | ||
Потр. мощность, макс./мин. | 2.9-3.5-3.7/0.7 Ватт | ||
Гарантия | 3 года | ||
TB (Терабайт) = 1000 гигабайт.
PB (Петабайт) = 1млн. гигабайт = 1000 терабайт.
Внутри Intel SSD 710 Series 200GB находиться 10-канальный контроллер Intel PC29AS21BA0, также использующийся в накопителе Intel SSD 320, с пропускной способностью 3Гбит/с (SATA II). На стороне контролера расположено 10 микросхем Intel 29F16B08CCME1 MLC NAND HET (20 чипов на двух сторонах), 64MB Hynix DDR3 кеш-памяти, и шесть конденсаторов. Форматированная ёмкость 100/200/300GB моделей составляет 93/186/279GiB соответственно; двух 200GB в RAID 0 - 372GiB.
Двадцать 16-ти гигабайтовых микросхем (по два 8GiB кристалла в микросхеме) составляют 320GiB флеш-памяти, из которых 134 GiB (42%) изначально отведено в резерв, для версии 200GB.
Присутствующие конденсаторы обеспечивают накопитель достаточной энергией для завершения всех операций записи в случае перебоя питания.
Тестовая конфигурация Intel SSD 710 200GB и двух 200GB в RAID 0: Gigabyte GA-Z68X-UD7-B3, Intel Core i7-2600K, Corsair Vengeance 2x4GB DDR3 1600 RAM, Windows 7.
Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.
200GB | 2x200GB, RAID 0 | |
Последовательное чтение: | 269.6 | 494.5 |
Произвольное чтение 512KB: | 170.6 | 257.2 |
Произвольное чтение 4КВ: | 19.66 | 18.86 |
Произвольное чтение 4КВ QD32: | 141.6 | 261.4 |
Последовательная запись: | 224.0 | 326.6 |
Произвольная запись 512KB: | 212.2 | 300.8 |
Произвольная запись 4КВ: | 40.55 | 48.97 |
Произвольная запись 4КВ QD32: | 82.64 | 184.8 |
AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.
200GB | |
Последовательное чтение: | 266.80 |
Произвольное чтение 4КВ: | 12.47 |
Произвольное чтение 4КВ QD64: | 129.94 |
Последовательная запись: | 223.39 |
Произвольная запись 4КВ: | 35.34 |
Произвольная запись 4КВ QD64: | 60.49 |
Источники: www.anandtech.com; thessdreview.com
Комментариев нет:
Отправить комментарий