 |
| 1Гбит 45нм PCM кристалл |
Системные инженеры продолжают сталкиваться со значительными трудностями при проектировании надёжных систем хранения данных, основывающихся на флеш-памяти. С каждым следующим поколением, характеристики существующих технологий памяти ухудшаются, требуя значительных изменений системного уровня для сохранения надёжности и производительности системы. NOR и NAND флеш-память основываются на ячейках памяти, которых становится всё сложнее уменьшать (масштабировать).
PCM (Phase Change Memory) является многообещающей технологией энергонезависимой памяти следующего поколения, сочетающая свойства NOR, NAND и DRAM, и которую возможно масштабировать до геометрий, меньших 10нм.
| Свойства | PCM | NOR | NAND | DRAM |
| Энергонезависимость | Да | Да | Да | Нет |
| Масштабируемость | <10нм | ~3x нм | ~1x нм | ~2x нм |
| Побитовое программирование | Да | Нет | Нет | Да |
| Необходимо стирание | Нет | Да | Да | Нет |
| Прошивка | Простая | Умеренная | Сложная | Простая |
| Скорость записи/кристалл | 1–100 МБ/с | ~1 МБ/с | 10–100 МБ/с | ~ГБ/с |
| Задержка записи | ~1мкс | – | ~100–800мкс | ~20–50нс |
| Задержка чтения | 50–100нс | 70–100нс | 10–50мкс | 50нс |
| Износоустойчивость | 106–8 | 105 | 104–5 | Неогранич. |
| Сравнительная таблица технологий памяти |
(1сек=1000мс; 1мс=1000мкс; 1мкс=1000нс; 1нс=1000пс)
