суббота, 28 июля 2012 г.

Будущие технологии энергонезависимой памяти: PCM, 3D NAND, ReRAM

1Гбит 45нм PCM кристалл
Системные инженеры продолжают сталкиваться со значительными трудностями при проектировании надёжных систем хранения данных, основывающихся на флеш-памяти. С каждым следующим поколением, характеристики существующих технологий памяти ухудшаются, требуя значительных изменений системного уровня для сохранения надёжности и производительности системы. NOR и NAND флеш-память основываются на ячейках памяти, которых становится всё сложнее уменьшать (масштабировать). PCM (Phase Change Memory) является многообещающей технологией энергонезависимой памяти следующего поколения, сочетающая свойства NOR, NAND и DRAM, и которую возможно масштабировать до геометрий, меньших 10нм.

СвойстваPCMNORNANDDRAM
ЭнергонезависимостьДаДаДаНет
Масштабируемость<10нм~3x нм~1x нм~2x нм
Побитовое программированиеДаНетНетДа
Необходимо стираниеНетДаДаНет
ПрошивкаПростаяУмереннаяСложнаяПростая
Скорость записи/кристалл1–100 МБ/с~1 МБ/с10–100 МБ/с~ГБ/с
Задержка записи~1мкс ~100–800мкс~20–50нс
Задержка чтения50–100нс70–100нс10–50мкс50нс
Износоустойчивость106–8105104–5Неогранич.
Сравнительная таблица технологий памяти
(1сек=1000мс; 1мс=1000мкс; 1мкс=1000нс; 1нс=1000пс)