вторник, 12 июня 2012 г.

SandForce представила SSD с флеш-памятью 19nm Toshiba и 20nm IMFT

На компьютерной выставке Computex Taipei 2012, проходившей в Тайване 5-9 июня, компания LSI продемонстрировала работоспособность контроллеров SandForce SF-2281 с флеш-памятью 19nm Toshiba Toggle DDR MLC NAND и 20nm IMFT (Intel-Micron) MLC NAND ONFi 2.
LSI сотрудничает в шестью основными производителями NAND флеш-памяти, что позволяет компании оптимизировать совместимость контроллеров SandForce с постоянно уменьшающимися геометриями кристаллов.
Уменьшение геометрии негативно влияет на производительность и износостойкость флеш-памяти, тем не менее, поколение 20-нанометровой флеш-памяти IMFT обладает таким же ресурсом 3000-5000 циклов записи как и 25-нанометровая флеш-память IMFT. Как преимущество для конечного пользователя, переход на новый технологический процесс должен сопутствовать дальнейшему снижению цен на твердотельные накопители.
Тестовая конфигурация SandForce состояла из процессора Intel Core i5-2500K и материнской платы с чипсетом Intel P67. Были показаны три демонстрационных SSD с флеш-памятью Intel 29F64G08ACMF3 (F: 20nm) (синхронная), Micron MT29F64G08CBABA (асинхронная) и Toshiba TH58TEG8D2JBA8C (J: 19nm). Веб-сайт TweakTown сумел протестировать накопители 120GB 20nm IMFT и 240GB 19nm Toshiba, показавшие такие результаты:

CrystalDiskMark 3.0 Technical Preview. Тестовый размер файла - 100 MB. Мегабайт/сек.
 120GB
20nm IMFT
240GB
19nm Toshiba
Последовательное чтение:205.8480.9
Произвольное чтение 512KB:193.3429.8
Произвольное чтение 4КВ:25.6736.63
Произвольное чтение 4КВ QD4:53.9095.35
Произвольное чтение 4КВ QD32:143.8307.3
 
Последовательная запись:124.3294.5
Произвольная запись 512KB:124.4289.7
Произвольная запись 4КВ:95.66107.7
Произвольная запись 4КВ QD4:124.0228.7
Произвольная запись 4КВ QD32:124.7262.6

TweakTown не указал с какой 20nm IMFT флеш-памятью тестировался SSD, но исходя из результатов можно сделать выводы:
1) Показатели скорости характерны для асинхронной флеш-памяти,
2) В сравнении с SandForce-накопителями на 25-нанометровой асинхронной флеш-памяти (напр. Kingston SSDNow V+200 120GB, Patriot Pyro 120GB), 20-нанометровая асинхронная флеш-память IMFT несколько убавила в скорости. Последовательная запись, произвольная запись 512KB и 4КВ QD32 снизилась на ~24МБ/сек; произвольная запись 4КВ и скорости чтения не изменились,
3) В сравнении с SandForce-накопителями на 32-нанометровой Toggle DDR 1.0 флеш-памяти Toshiba (напр. Mushkin Chronos deluxe 240GB, Patriot WildFire 240GB), 19-нанометровая Toggle DDR флеш-память Toshiba скорость не потеряла.

Источники: www.anandtech.com; www.tweaktown.com (1), (2)

Комментариев нет: