Intel и Micron выпускают 20nm 128Gbit MLC NAND кристалл

6 декабря 2011 года Intel и Micron - IM Flash Technologies (IMFT) - представили первый в индустрии монолитный MLC NAND кристалл ёмкостью 128Gbit (16GiB) (изображён на рисунке), изготовленный по тех. процессу 20 нанометров; и также объявили о запуске массового производства 20nm 64Gbit MLC NAND флеш-памяти (размер которой теперь составляет 118mm²).
Новая 128Gbit (16GiB) MLC NAND флеш-память не только удваивает ёмкость существующей 20nm 64Gbit флеш-памяти, но и соответствует скоростным требованиям ONFI 3.0, которые увеличивают скорость передачи данных до 333 Mегатрансферов/сек. Размер страницы 20nm 128Gbit флеш-памяти далее увеличился до 16KB. Одна микросхема сможет вместить восемь 128Gbit-кристаллов для суммарной ёмкости 1 терабит (128GiB).
Уменьшение тех. процесса требует более крошечных и сложных ячеек памяти, что приводит к низшей производительности и износостойкости. Несмотря на это, IMFT сумели внедрить новую технологию, которая позволила 20-нанометровой флеш-памяти продемонстрировать износостойкость и производительность, характерную поколению 25-нанометровой флеш-памяти (3000-5000 циклов записи). Тех. процесс IMFT 20nm использует планарную структуру ячеек, которая успешно преодолевает ограничения уменьшения размеров стандартного NAND-транзистора (NAND-ячейки) с плавающим затвором, с помощью внедрения Hi-K/Metal gate-транзисторов в производство NAND флеш-памяти.
Образцы 20nm 128Gbit-кристаллов будут доступны в январе, с последующим массовым производством в первой половине 2012 года.

Что значит "тех. процесс 20nm"?
Массив NAND флеш-памяти состоит из последовательности блоков. Каждый блок состоит из страниц. Страницы состоят из ячеек памяти. Массив 8GiB (64Gbit) 20nm IMFT MLC NAND флеш-памяти состоит из более 32-x миллиардов ячеек, и ширина каждой ячейки памяти составляет 20 нанометров.

Источники: www.anandtech.com; newsroom.intel.com; www.micron.com