О 25-нанометровой технологии флэш-памяти

На рисунке изображёно устройство флэш-памяти от Intel-Micron, объёмом 8 гигабайт (64Gbit), изготовленное по тех. процессу 25 нанометров NAND, размером 167mm².

Производители SSD перешли (OCZ из первых) и продолжают переходить с 34-нанометровых микросхем к использованию 25-нанометровых. Что это значит на практике?

Преимущества:
1) Так как тех. процесс уменьшился, количество микросхем на кремниевой пластине увеличилось, вследствие микросхемы удешевляются в производстве.
Стоимость 25nm NAND чипов ниже на 10-15% в сравнении 34nm NAND. Следовательно, цена конечного SSD должна упасть, со временем.

Недостатки:
1) Износоустойчивость 34nm MLC NAND чипов - 5,000 циклов записи, 25nm MLC NAND - 3,000 циклов.
Для компенсации такой разницы, производители увеличивают объём резервного пространства, которое будет заменять изношенные секции. В цифрах это значит, что неформатированная ёмкость 120GB SSD с 25nm NAND теперь равна 115GB, и 107GiB доступны в Windows. Для 120GB SSD с 34nm NAND, в Windows доступны 111GiB. Фактически снижение циклов записи должно быть мало заметным для продолжительности эксплуатации SSD, учитывая, что гарантии и время наработки на отказ остаются прежними. Главной проблемой является потеря эффективного пространства хранения. Как отмечалось, 120GB SSD превратился в 115GB, 60GB в 56GB, 40GB в 36GB. Покупатель теряет примерно 4-5GB, зарезервированных под износ, что существенно заметно для меньших ёмкостей. При выборе нового накопителя надо учитывать адекватность маркетинга производителей относительно реальных ёмкостей SSD.

2) При создании RAID-массива (будет ли это RAID0, 1, или 5) нужно учитывать какие SSD задействуются, так как при создании массива, за основу используется наименьшая ёмкость, то есть предыдущий 40GB-й SSD в паре с новой 36GB-й моделью создаст 72GB-й RAID0 массив вместо 80GB-го.

3) 25-нанометровые транзисторы стали настолько малы, что хранить в них заряд стало проблематичным. Инженеры компенсируют это созданием особо изощрённых схем исправления ошибок. Несмотря на это, гарантируя сохранность данных, эти транзисторы создают некоторые издержки относительно ёмкостей и/или производительности.
Corsair опубликовал на своём форуме сравнительную таблицу производительности своего обновлённого рядя накопителей - Corsair Force Series с суффиксом "-A" для обозначения 25nm технологии (F240-A, F180-A, F115-A, F80-A, F60-A, F40-A). Тесты проводили на платформе Intel "Sandy Bridge": Windows 7 64-bit, Intel Core i5-2400, MSI P67-GD65, Nvidia GeForce 240GT. Corsair V64 SSD служил загрузочным диском, тестируемые диски были сконфигурированы как второстепенные. Результаты действительны для данной конфигурации и могут отличаться для иных:

Crystal Disk Mark 3.0 x64, МБ/с

	F120 34nm	F115-A 25nm	F80-A 25nm
Последов. чтение	211.6	227.7	168.5
Последов. запись	85.89	81.01	58.31
512K - Чтение	197.4	212.3	160.5
512K - Запись	82.17	80.41	58.08
4K - Чтение	21.02	18.54	17.89
4K - Запись	52.93	51.49	50.87
4K QD32 - Чтение	124.6	95.62	90.02
4K QD32 - Запись	85.79	80.24	57.96

ATTO v. 2.41, МБ/с

	F120 34nm	F115-A 25nm	F80-A 25nm
4KB Чтение	117.28	113.92	112.34
4KB Запись	151.89	151.62	147.16
64KB Чтение	260.99	256.65	251.16
64KB Запись	269.33	264.87	262.27
4MB Чтение	282.56	276.16	278.46
4MB Запись	272.24	267.89	268.43

AS SSD Benchmark 1.5.3784.37609

	F120 34nm	F115-A 25nm	F80-A 25nm
Общая оценка	383	307	272

Источники: www.storagereview.com; forum.corsair.com